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Caractéristiques | Détails |
Marque | Samsung |
Référence produit | MZ-V9P2T0GW |
Type | SSD Interne |
Format | M.2 2280 |
Capacité | 2 To |
Interface | PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 |
Mémoire NAND | Samsung V-NAND 3-bit TLC |
Contrôleur | Samsung in-house |
Mémoire tampon cache | 2 Go LPDDR4 SDRAM |
Débits lecture/écriture | Jusqu’à 7450 Mo/s / 6900 Mo/s |
Performances 4K QD32 (IOPS) | Lecture : 1 400K / Écriture : 1 550K |
Performances 4K QD1 (IOPS) | Lecture : 22K / Écriture : 80K |
Endurance | 1200 To (Téraoctets écrits) |
Dissipateur thermique | Oui (intégré) |
Dimensions (L x P x H) | 8 cm x 2,2 cm x 0,238 cm |
Poids | 9 g |
Baie compatible | M.2 2280 |